Корзина
8 отзывов
+7
343
384-55-11
РоссияСвердловская областьЕкатеринбургул. Петрова, 22Б
Наличие документов
Знак Наличие документов означает, что компания загрузила свидетельство о государственной регистрации для подтверждения своего юридического статуса компании или индивидуального предпринимателя.
Корзина
производство / продажа / проект / монтаж
Новые яркие светодиоды GaN-on-Si от Toshiba

Новые яркие светодиоды GaN-on-Si от Toshiba

Новые яркие светодиоды GaN-on-Si от Toshiba

Toshiba пополнила линейку компонентов TL1L4 четырьмя новыми светодиодами с высоким световым потоком, выполненными по технологии GaN-on-Si. 

Компоненты найдут применение в различных системах: от уличного и стадионного освещения до светодиодных лампочек и домашних светильников. Индекс цветопередачи новых светодиодов Ra составляет минимум 70, прямое напряжение равно 2,8 В.

Для достижения оптимизированных показателей по КПД и световому потоку в новых светодиодах, как и во всей линейке TL1L4, задействована технология GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии). Однако в новинках (4A5B) достигнуты ещё более заметные улучшения. Световой поток составляет 140 лм (минимальное значение для 85 °C). Это на 10 лм больше по сравнению с предыдущими светодиодами серии.

Новые светодиоды позволяют удовлетворить запросы рынка на более высокую эффективность осветительных компонентов. Световая отдача в готовом светильнике достигла 110 лм/Вт при КПД драйвера в 90 % и оптической эффективности в 90 %.

Размеры светодиодов – 3,5 х 3,5 мм. В верхней части расположена линза. Цветовая температура светодиода TL1L4-DW0 – 6500 К, TL1L4-NT0 – 5700 К, TL1L4-NW0 – 5000 К и TL1L4-WH0 – 4000 К.

Предыдущие статьи